Главная » Справочник » Основы микроэлектроники » Оксидная память

Оксидная память

В последнее время ведется разработка нового типа памяти − устройства высокоемкой резистивной памяти (Resistive Random Access Memory, RRAM) – на основе оксида кремния.

Принцип реализации резистивной памяти состоит в том, что в диэлектрике, при достаточно высокой разности приложенных электрических потенциалов, образуются устойчивые каналы проводимости, которые можно разрушать и создавать тысячи раз.

Наличие и отсутствие таких пробоев в диэлектрике можно интерпретировать как «1» и «0» цифровых данных.

Ожидается, что RRAM, как более высокоемкая и быстродействующая память достаточно скоро может полностью вытеснит с рынка флэш-устройства.

Производители считают, что возможен выпуск чипов RRAM размером с почтовую марку и емкостью 1 ТБ данных.

Предыдущая статья Научная школа С.А. Лебедева Следующая статья Оптическая память

Статьи по теме